Продукція > IXYS > IXFK120N30T
IXFK120N30T

IXFK120N30T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK120N30T IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK120N30T за ціною від 429.26 грн до 429.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK120N30T IXFK120N30T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T
Код товару: 124250
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK120N30T Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK120N30T Виробник : IXYS media-3319565.pdf MOSFETs 120A 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.