Продукція > IXYS > IXFK140N30P
IXFK140N30P

IXFK140N30P IXYS


IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1486.60 грн
2+1319.20 грн
5+1177.46 грн
10+1112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFK140N30P за ціною від 943.18 грн до 2044.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK140N30P IXFK140N30P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1797.20 грн
5+1666.33 грн
10+1534.65 грн
50+1303.51 грн
100+1090.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P Виробник : IXYS DS99557FIXFKFX140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1843.53 грн
25+1163.12 грн
100+1018.06 грн
500+943.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_140N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2044.30 грн
10+1362.90 грн
100+1134.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.