Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK140N30P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFK140N30P за ціною від 963.78 грн до 2044.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK140N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 185nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Polar™ Drain current: 140A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK140N30P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK140N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK140N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK140N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFK140N30P | IXYS |
MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXFK140N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IXFK140N30P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1606.32 грн |
| 5+ | 1374.42 грн |
| 10+ | 1272.21 грн |
| 25+ | 1114.33 грн |
| 50+ | 1102.69 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1883.34 грн |
| 25+ | 1188.54 грн |
| 100+ | 1040.30 грн |
| 500+ | 963.78 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2044.67 грн |
| 10+ | 1982.27 грн |
| 20+ | 1860.13 грн |
| 50+ | 1681.48 грн |
| 100+ | 1580.33 грн |
| 250+ | 1550.86 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2044.67 грн |
| 10+ | 1982.27 грн |
| 20+ | 1860.13 грн |
| 50+ | 1681.48 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2044.67 грн |
| 10+ | 1982.27 грн |
| 20+ | 1860.13 грн |
| 50+ | 1681.48 грн |
| 100+ | 1580.33 грн |
| 250+ | 1550.86 грн |
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXFK140N30P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







