IXFK150N30P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1393.05 грн |
| 3+ | 1229.07 грн |
| 10+ | 1075.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK150N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK150N30P3 за ціною від 1103.66 грн до 1711.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK150N30P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK150N30P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFK150N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC On-state resistance: 19mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 300V Mounting: THT Power dissipation: 1.3kW Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK150N30P3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK150N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFK150N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |