на замовлення 300 шт:
термін постачання 479-488 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1404.32 грн |
| 10+ | 1219.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK160N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK160N30T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK160N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |