IXFK160N30T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1423.60 грн |
| 25+ | 879.70 грн |
| 100+ | 776.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK160N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK160N30T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFK160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 160A 300V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK160N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Kind of package: tube |
товару немає в наявності |