Технічний опис IXFK170N20P
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції IXFK170N20P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK170N20P | Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AATechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFK170N20P | IXYS |
MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFK170N20P |
|
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFK170N20P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.