IXFK170N20T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1161.57 грн |
| 25+ | 741.27 грн |
| 100+ | 637.99 грн |
| 500+ | 587.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK170N20T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK170N20T за ціною від 676.88 грн до 1283.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK170N20T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFK170N20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 170A 200V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFK170N20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFK170N20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFK170N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 265nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFK170N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 265nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |