Продукція > IXYS > IXFK180N10

IXFK180N10 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=7C8B27C9-D58D-42D8-A144-41021B5D54AA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFK180N10-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
08+ SOP
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK180N10 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA.

Інші пропозиції IXFK180N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK180N10 IXFK%2CIXFX180N10.pdf TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10 IXFK180N10 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7C8B27C9-D58D-42D8-A144-41021B5D54AA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFK180N10-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10 IXFK180N10 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFK180N10_Datasheet.PDF MOSFETs 100V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10 IXFK%2CIXFX180N10.pdf
TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10 media?resourcetype=datasheets&itemid=7C8B27C9-D58D-42D8-A144-41021B5D54AA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFK180N10-Datasheet.PDF
IXFK180N10
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFK180N10_Datasheet.PDF
IXFK180N10
Виробник: IXYS
MOSFETs 100V 180A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.