Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > IXFK180N25T

IXFK180N25T

DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
Код товару: 45120
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFK180N25T за ціною від 746.07 грн до 1798.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK180N25T IXFK180N25T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+765.52 грн
25+746.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.69 грн
2+765.52 грн
25+746.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS IXFK(X)180N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 364nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 12.9mΩ
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1253.16 грн
3+1124.17 грн
5+1099.29 грн
10+1081.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-180N25T-Datasheet.PDF MOSFETs 180A 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1478.06 грн
10+1193.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1798.17 грн
25+1121.58 грн
50+1042.97 грн
100+916.77 грн
500+836.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T media.pdf
IXFK180N25T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+765.52 грн
25+746.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T media.pdf
IXFK180N25T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1080.69 грн
2+765.52 грн
25+746.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK(X)180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 364nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 12.9mΩ
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1253.16 грн
3+1124.17 грн
5+1099.29 грн
10+1081.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-180N25T-Datasheet.PDF
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
MOSFETs 180A 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1478.06 грн
10+1193.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1798.17 грн
25+1121.58 грн
50+1042.97 грн
100+916.77 грн
500+836.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.