Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > IXFK180N25T

IXFK180N25T

DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
Код товару: 45120
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFK180N25T за ціною від 791.14 грн до 1604.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS IXFK(X)180N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1163.27 грн
5+1056.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-180N25T-Datasheet.PDF MOSFETs 180A 250V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1301.36 грн
10+951.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T Littelfuse Inc. DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1430.46 грн
25+949.76 грн
100+879.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1604.47 грн
25+1000.96 грн
100+871.83 грн
500+791.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK(X)180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1163.27 грн
5+1056.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-180N25T-Datasheet.PDF
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
MOSFETs 180A 250V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1301.36 грн
10+951.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1430.46 грн
25+949.76 грн
100+879.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1604.47 грн
25+1000.96 грн
100+871.83 грн
500+791.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.