Продукція > IXYS > IXFK200N10P

IXFK200N10P IXYS

Name: IXFK200N10P
Brand: IXYS
SKU: 144847-4
Price: 1374.03 UAH
Availability: InStock

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-200N10P-Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds

на замовлення 981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1374.03 грн
10+	1012.54 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFK200N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK200N10P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFK200N10P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK200N10P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK200N10P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 235nC On-state resistance: 7.5mΩ Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 830W кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK200N10P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK200N10P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 235nC On-state resistance: 7.5mΩ Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 830W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.