
IXFK210N30X3 IXYS


Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1934.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFK210N30X3 за ціною від 1621.44 грн до 2603.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |