Продукція > IXYS > IXFK210N30X3
IXFK210N30X3

IXFK210N30X3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1934.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK210N30X3 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXFK210N30X3 за ціною від 1621.44 грн до 2603.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2321.36 грн
2+2116.22 грн
25+2009.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2455.87 грн
25+1960.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0010859476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2471.73 грн
5+2260.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : IXYS media-3322089.pdf MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2603.21 грн
10+2371.43 грн
25+1621.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.