
IXFK220N20X3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1055.45 грн |
25+ | 927.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK220N20X3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK220N20X3 за ціною від 933.04 грн до 1326.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A Power dissipation: 960W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 116ns Kind of package: tube Technology: HiPerFET™; X3-Class |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A Power dissipation: 960W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 116ns Kind of package: tube Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |