IXFK230N20T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1543.33 грн |
| 25+ | 1135.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK230N20T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK230N20T за ціною від 1373.71 грн до 1682.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK230N20T | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1.67kW Case: TO264 On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 358nC Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
IXFK230N20T | IXYS |
MOSFETs 230A 200V |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK230N20T |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1682.59 грн |
| 5+ | 1373.71 грн |
| IXFK230N20T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 230A 200V
MOSFETs 230A 200V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)