IXFK24N100Q3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2260.41 грн |
| 25+ | 1452.06 грн |
| 100+ | 1303.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK24N100Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK24N100Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK24N100Q3 | IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK24N100Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



