на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1913.40 грн |
| 10+ | 1618.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK24N100Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFK24N100Q3 за ціною від 1350.92 грн до 2122.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK24N100Q3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFK24N100Q3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFK24N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFK24N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFK24N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |