IXFK24N100Q3 IXYS

Name: IXFK24N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 2773896-3
Price: 2265.44 UAH
Availability: InStock

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n100q3-datasheet?assetguid=3648f013-3ad9-4149-bd83-6ccae0da3985

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	2265.44 грн
25+	1455.29 грн
100+	1305.99 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFK24N100Q3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFK24N100Q3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXFK24N100Q3	IXYS	MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A	на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IXFK24N100Q3	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023)	на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IXFK24N100Q3

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_24N100Q3_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IXFK24N100Q3

LFSI-S-A0009972201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.