Продукція > IXYS > IXFK24N80P
IXFK24N80P

IXFK24N80P IXYS


IXFH(K,T)24N80P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794.85 грн
2+ 530.67 грн
5+ 501.53 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK24N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 24A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK24N80P за ціною від 601.84 грн до 953.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK24N80P IXFK24N80P Виробник : IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+953.82 грн
2+ 661.29 грн
5+ 601.84 грн
IXFK24N80P IXFK24N80P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 24A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFK24N80P IXFK24N80P Виробник : IXYS media-3322876.pdf MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
товар відсутній