
IXFK250N10P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1376.55 грн |
2+ | 1208.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK250N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK250N10P за ціною від 1119.88 грн до 1875.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK250N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264 Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK250N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK250N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |