IXFK250N10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK250N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK250N10P за ціною від 1095.54 грн до 2166.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK250N10P | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFK250N10P | IXYS |
MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXFK250N10P |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1668.99 грн |
| 25+ | 1095.54 грн |
| IXFK250N10P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2166.52 грн |
| 10+ | 1565.56 грн |
| 100+ | 1248.14 грн |