Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFK250N10P
IXFK250N10P

IXFK250N10P Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1650.23 грн
25+1083.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK250N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK250N10P за ціною від 1944.86 грн до 1944.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS IXFK(X)250N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1944.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_250N10P_Datasheet.PDF MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK(X)250N10P.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1944.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_250N10P_Datasheet.PDF
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.