Продукція > IXYS > IXFK250N10P
IXFK250N10P

IXFK250N10P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1425.57 грн
2+1251.70 грн
10+1234.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK250N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK250N10P за ціною від 1159.77 грн до 1953.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK250N10P IXFK250N10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1710.69 грн
2+1559.81 грн
10+1481.14 грн
25+1444.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.83 грн
25+1159.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_250N10P_Datasheet.PDF MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1953.45 грн
10+1625.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_250n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.