IXFK30N100Q2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK30N100Q2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK30N100Q2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK30N100Q2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 30 Amps 1000V 0.35 Rds |
товару немає в наявності |