IXFK32N100P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1756.47 грн |
10+ | 1560.21 грн |
100+ | 1332.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK32N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK32N100P за ціною від 1736.28 грн до 1762.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFK32N100P | Виробник : IXYS | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds |
на замовлення 375 шт: термін постачання 302-311 дні (днів) |
|
|||||||
IXFK32N100P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
||||||||
IXFK32N100P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
||||||||
IXFK32N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
IXFK32N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |