IXFK32N80P IXYS

Name: IXFK32N80P
Brand: IXYS
SKU: 81172023-3
Price: 1275.32 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1275.32 грн
25+	779.34 грн
100+	672.81 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFK32N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK32N80P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFK32N80P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK32N80P	Виробник : IXYS	MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFK32N80P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 150nC On-state resistance: 0.27Ω Drain current: 32A Power dissipation: 830W Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.