IXFK32N80P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1152.29 грн |
| 25+ | 704.15 грн |
| 100+ | 607.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK32N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK32N80P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK32N80P | IXYS |
MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFK32N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 830W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Drain current: 32A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.27Ω |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK32N80P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFK32N80P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.