на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1812.54 грн |
| 2+ | 1713.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK32N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK32N80Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK32N80Q3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK32N80Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK32N80Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A |
товару немає в наявності |