Продукція > IXYS > IXFK32N80Q3
IXFK32N80Q3

IXFK32N80Q3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Power dissipation: 1kW
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1338.75 грн
3+1100.24 грн
10+985.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK32N80Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK32N80Q3 за ціною від 1103.09 грн до 1606.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Power dissipation: 1kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1606.50 грн
3+1371.06 грн
10+1183.11 грн
25+1103.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 Виробник : IXYS media-3322164.pdf MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.