IXFK32N90P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK32N90P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 960W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 215nC, Kind of channel: enhanced, Mounting: THT, Case: TO264, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 32A, On-state resistance: 0.3Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFK32N90P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFK32N90P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
товар відсутній |
||
 |
IXFK32N90P | Виробник : IXYS |
MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK32N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω |
товар відсутній |