Продукція > IXYS > IXFK32N90P

IXFK32N90P IXYS

DS100387(IXFK-FX32N90P).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK32N90P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Polarisation: unipolar, Gate charge: 215nC, On-state resistance: 0.3Ω, Drain current: 32A, Power dissipation: 960W, Drain-source voltage: 900V, Case: TO264, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Mounting: THT.

Інші пропозиції IXFK32N90P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS media-3321471.pdf MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS IXFK(X)32N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P media-3321471.pdf
IXFK32N90P
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK(X)32N90P.pdf
IXFK32N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.