Продукція > IXYS > IXFK32N90P

IXFK32N90P IXYS


DS100387(IXFK-FX32N90P).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK32N90P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264, Polarisation: unipolar, Drain current: 32A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 900V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO264, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Power dissipation: 960W, Gate charge: 215nC.

Інші пропозиції IXFK32N90P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS media-3321471.pdf MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS IXFK(X)32N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P media-3321471.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90P IXFK(X)32N90P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 215nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.