Продукція > IXYS > IXFK360N10T
IXFK360N10T

IXFK360N10T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.75 грн
25+ 699.1 грн
100+ 657.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK360N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK360N10T за ціною від 576.58 грн до 994.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK360N10T IXFK360N10T Виробник : IXYS media-3320211.pdf MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+994.28 грн
25+ 822.72 грн
50+ 690.16 грн
100+ 648.98 грн
500+ 587.87 грн
1000+ 576.58 грн
IXFK360N10T IXFK360N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK360N10T IXFK360N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK360N10T IXFK360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK360N10T IXFK360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товар відсутній