Продукція > IXYS > IXFK360N15T2
IXFK360N15T2

IXFK360N15T2 IXYS

PdfFile325792.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2576.03 грн
25+1665.95 грн
50+1561.11 грн
100+1422.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK360N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK360N15T2 за ціною від 1717.66 грн до 2003.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK360N15T2 IXFK360N15T2 IXYS IXF-360N15T2.pdf MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2 IXYS/Littelfuse IXF_360N15T2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 360 А, Qg, нКл = 715 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 60 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 8 мА, Р, Вт = 1670, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
25+2003.93 грн
100+1717.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2 IXF-360N15T2.pdf
IXFK360N15T2
Виробник: IXYS
MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2 IXF_360N15T2.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 360 А, Qg, нКл = 715 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 60 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 8 мА, Р, Вт = 1670, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2003.93 грн
100+1717.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.