Продукція > IXYS > IXFK36N60P

IXFK36N60P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n60p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXFK36N60P THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.17 грн
2+752.79 грн
5+711.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK36N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK36N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK36N60P IXFK36N60P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60P IXFK36N60P Виробник : IXYS media-3323767.pdf MOSFETs 600V 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.