IXFK38N80Q2 IXYS

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFK38N80Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK38N80Q2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IXFK38N80Q2	IXYS	MOSFETs 38 Amps 800V 0.22 Rds	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IXFK38N80Q2	Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн.
IXFK38N80Q2	Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн.