IXFK400N15X3

IXFK400N15X3 Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3234.85 грн
25+2125.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK400N15X3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 400A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK400N15X3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK400N15X3 IXFK400N15X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3 IXFK400N15X3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_400N15X3_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3 Виробник : IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 400A; Idm: 900A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 400A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 365nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.