IXFK420N10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 983.34 грн |
| 3+ | 863.03 грн |
| 25+ | 845.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK420N10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 0.0026 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFK420N10T за ціною від 882.66 грн до 1490 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFK420N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Power dissipation: 1670W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 670nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFK420N10T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 0.0026 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFK420N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFK420N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFK420N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFK420N10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V |
товар відсутній |