Продукція > IXYS > IXFK420N10T
IXFK420N10T

IXFK420N10T IXYS

IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1371.41 грн
5+1172.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK420N10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFK420N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_420N10T_Datasheet.PDF MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T LITTELFUSE LFSI-S-A0007924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_420N10T_Datasheet.PDF
IXFK420N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T LFSI-S-A0007924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK420N10T
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.