
IXFK44N50P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 897.67 грн |
25+ | 571.78 грн |
100+ | 508.90 грн |
500+ | 457.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK44N50P Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFK44N50P за ціною від 580.76 грн до 980.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 658W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXFK44N50P Код товару: 129821
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 650W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 98nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 650W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 98nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT |
товару немає в наявності |