Продукція > IXYS > IXFK44N50P
IXFK44N50P

IXFK44N50P IXYS


media-3323245.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 500V 44A
на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.6 грн
10+ 775.42 грн
25+ 662.45 грн
50+ 626.96 грн
100+ 576.36 грн
250+ 566.5 грн
500+ 529.04 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK44N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Інші пропозиції IXFK44N50P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK44N50P
Код товару: 129821
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598135-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : IXYS IXFK44N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFK44N50P IXFK44N50P Виробник : IXYS IXFK44N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній