IXFK44N50P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 933.40 грн |
| 5+ | 845.15 грн |
| 10+ | 756.05 грн |
| 50+ | 681.56 грн |
| 100+ | 609.50 грн |
| 250+ | 597.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK44N50P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFK44N50P за ціною від 507.23 грн до 1033.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 658W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 500V 44A |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFK44N50P Код товару: 129821
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFK44N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFK44N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ |
товару немає в наявності |