Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFK44N80P

IXFK44N80P

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-44n80p-datasheet?assetguid=0308fa86-41d8-447d-92c9-57e0fcffa0ce
Код товару: 170265
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFK44N80P за ціною від 920.34 грн до 1816.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1589.32 грн
2+1418.46 грн
3+1367.77 грн
5+1288.83 грн
10+1162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-44n80p-datasheet?assetguid=0308fa86-41d8-447d-92c9-57e0fcffa0ce Description: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1816.55 грн
25+1142.53 грн
100+998.73 грн
500+920.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.2kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1589.32 грн
2+1418.46 грн
3+1367.77 грн
5+1288.83 грн
10+1162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-44n80p-datasheet?assetguid=0308fa86-41d8-447d-92c9-57e0fcffa0ce
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1816.55 грн
25+1142.53 грн
100+998.73 грн
500+920.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P IXYS-S-A0008598122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK44N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.2kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MS32 1R036 термістор
Код товару: 205542
Додати до обраних Обраний товар
Пасивні компоненти > Термістори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4427AEPA (Microchip, DIP-8), драйвер MOSFET
Код товару: 25277
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.