IXFK44N80P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1223.37 грн |
| 3+ | 1073.53 грн |
| 25+ | 1032.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK44N80P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFK44N80P за ціною від 893.01 грн до 1713.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFK44N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264 Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 198nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK44N80P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK44N80P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFK44N80P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 44 Amps 800V |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK44N80P Код товару: 170265
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IXFK44N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFK44N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |