Продукція > IXYS > IXFK48N60P
IXFK48N60P

IXFK48N60P IXYS

IXF_48N60P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1050.59 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK48N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK48N60P за ціною від 722.18 грн до 1085.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK48N60P IXFK48N60P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1085.94 грн
5+ 1041.75 грн
10+ 997.57 грн
50+ 854.68 грн
100+ 722.18 грн
IXFK48N60P IXFK48N60P Виробник : IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFK48N60P IXFK48N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXFK48N60P IXFK48N60P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFK48N60P IXFK48N60P Виробник : IXYS media-3321040.pdf MOSFET 600V 48A
товар відсутній