на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1011.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK50N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK50N85X за ціною від 857.78 грн до 1393.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK50N85X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IXFK50N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IXFK50N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IXFK50N85X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO264 On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 218ns |
товару немає в наявності |



