IXFK520N075T2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 0.0022 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1044.72 грн |
| 5+ | 945.61 грн |
| 10+ | 846.5 грн |
| 50+ | 763.2 грн |
| 100+ | 682.78 грн |
| 250+ | 669.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK520N075T2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 0.0022 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFK520N075T2 за ціною від 1112.23 грн до 1136.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK520N075T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFK520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFK520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||
| IXFK520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
||||||||
|
|
IXFK520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXFK520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 520A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 545nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXFK520N075T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXFK520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 520A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 545nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |