| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1319.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK520N075T2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.25kW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Інші пропозиції IXFK520N075T2 за ціною від 689.77 грн до 1429.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK520N075T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 545nC Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Drain current: 520A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V On-state resistance: 2.2mΩ |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFK520N075T2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFK520N075T2 | IXYS |
MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFK520N075T2 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.25kW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 545nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 520A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
On-state resistance: 2.2mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 545nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 520A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
On-state resistance: 2.2mΩ
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1352.70 грн |
| 2+ | 923.49 грн |
| 3+ | 872.32 грн |
| 25+ | 839.31 грн |
| IXFK520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1379.89 грн |
| 25+ | 848.97 грн |
| 50+ | 787.05 грн |
| 100+ | 689.77 грн |
| IXFK520N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1429.13 грн |
| 10+ | 926.81 грн |
| IXFK520N075T2 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







