IXFK52N100X Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2392.55 грн |
| 25+ | 1545.48 грн |
| 100+ | 1501.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK52N100X Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK52N100X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK52N100X | Виробник : IXYS |
MOSFET 52A 1000V POWER MOSFET |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IXFK52N100X | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK52N100X | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK52N100X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 52A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 245nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 260ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFK52N100X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 52A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 245nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 260ns |
товару немає в наявності |