Продукція > IXYS > IXFK64N50Q3
IXFK64N50Q3

IXFK64N50Q3 IXYS


media-3320488.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2223.84 грн
10+2021.18 грн
25+1492.70 грн
50+1491.23 грн
100+1459.59 грн
250+1365.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK64N50Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK64N50Q3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK64N50Q3 IXFK64N50Q3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3 IXFK64N50Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3 IXFK64N50Q3 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3 IXFK64N50Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.