на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2018.08 грн |
| 10+ | 1768.14 грн |
| 25+ | 1433.36 грн |
| 50+ | 1388.63 грн |
| 100+ | 1371.28 грн |
| 250+ | 1289.83 грн |
| 500+ | 1239.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK64N50Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK64N50Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK64N50Q3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK64N50Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFK64N50Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK64N50Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |