Продукція > IXYS > IXFK64N60P3
IXFK64N60P3

IXFK64N60P3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+940.82 грн
2+758.67 грн
4+717.29 грн
100+707.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK64N60P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFK64N60P3 за ціною від 596.33 грн до 1312.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.99 грн
2+945.42 грн
4+860.75 грн
100+848.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.01 грн
25+713.70 грн
100+616.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.47 грн
5+1062.14 грн
10+822.81 грн
50+711.16 грн
100+607.64 грн
250+596.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : IXYS media-3319429.pdf MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1312.33 грн
10+1247.90 грн
25+740.83 грн
100+655.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.