Продукція > IXYS > IXFK64N60P3
IXFK64N60P3

IXFK64N60P3 IXYS

IXF_64N60P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 145nC
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1274.17 грн
5+1024.79 грн
10+935.25 грн
25+835.75 грн
50+776.88 грн
100+746.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK64N60P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFK64N60P3 за ціною від 784.30 грн до 1463.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1463.03 грн
25+904.08 грн
100+784.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1463.03 грн
25+904.08 грн
100+784.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 LFSI-S-A0007924002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.