
IXFK64N60P3 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 940.82 грн |
2+ | 758.67 грн |
4+ | 717.29 грн |
100+ | 707.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK64N60P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFK64N60P3 за ціною від 596.33 грн до 1312.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 1130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.13kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXFK64N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |