
IXFK80N50P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1283.31 грн |
3+ | 1126.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK80N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK80N50P за ціною від 1026.55 грн до 1782.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264 Drain current: 80A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 197nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFK80N50P Код товару: 35720
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFK80N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |