Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFK80N50P

IXFK80N50P

99437.pdf
Код товару: 35720
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFK80N50P за ціною від 907.24 грн до 1924.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1271.63 грн
10+1145.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS 99437.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1663.55 грн
25+1040.41 грн
100+907.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_80N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 80A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1924.90 грн
10+1299.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1271.63 грн
10+1145.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P 99437.pdf
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1663.55 грн
25+1040.41 грн
100+907.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_80N50P_Datasheet.PDF
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 80A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1924.90 грн
10+1299.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.