Продукція > IXYS > IXFK80N65X2
IXFK80N65X2

IXFK80N65X2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1329.21 грн
3+1167.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK80N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK80N65X2 за ціною від 1346.55 грн до 1595.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1595.05 грн
3+1455.02 грн
25+1352.20 грн
100+1346.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 Виробник : IXYS media-3319978.pdf MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.