на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4004.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL32N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL32N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFL32N120P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 24A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFL32N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFL32N120P | Виробник : IXYS |
MOSFET 32 Amps 1200V |
товару немає в наявності |