IXFL38N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i5-pac™
Kind of package: tube
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1891.03 грн |
| 2+ | 1660.69 грн |
| 25+ | 1631.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL38N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL38N100P за ціною від 1957.77 грн до 2269.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™ Mounting: THT Case: ISOPLUS i5-pac™ Kind of package: tube Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35µC Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Drain current: 29A On-state resistance: 0.23Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds |
товар відсутній |