Продукція > IXYS > IXFL38N100P

IXFL38N100P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXFL38N100P THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1185.53 грн
3+1121.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFL38N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFL38N100P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFL38N100P IXFL38N100P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100P IXFL38N100P Виробник : IXYS media-3319272.pdf MOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.