IXFL38N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 921.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL38N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL38N100P за ціною від 1105.27 грн до 1105.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35µC On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 29A Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: ISOPLUS i5-pac™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXFL38N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds |
товару немає в наявності |