Продукція > IXYS > IXFL40N110P

IXFL40N110P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl40n110p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFL40N110P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFL40N110P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFL40N110P IXFL40N110P Виробник : IXYS ixys_s_a0008598286_1-2272981.pdf MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.