Продукція > IXYS > IXFL80N50Q2

IXFL80N50Q2 IXYS


IXFL80N50Q2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFL80N50Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: ISOPLUS264™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFL80N50Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFL80N50Q2 IXFL80N50Q2 IXYS media-3321740.pdf MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL80N50Q2 media-3321740.pdf
IXFL80N50Q2
Виробник: IXYS
MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.