IXFL82N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Case: ISOPLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 625W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1744.35 грн |
| 2+ | 1531.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL82N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL82N60P за ціною від 1750.8 грн до 2192.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFL82N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 55A Case: ISOPLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 625W Kind of channel: enhanced Gate charge: 240nC Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||
| IXFL82N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
IXFL82N60P | Виробник : IXYS |
MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds |
товар відсутній |