IXFL82N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 901.21 грн |
| 3+ | 796.22 грн |
| 10+ | 765.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL82N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL82N60P за ціною від 918.68 грн до 1081.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFL82N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 55A Power dissipation: 625W Case: ISOPLUS264™ On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFL82N60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFL82N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds |
товару немає в наявності |