Продукція > IXYS > IXFN100N50P
IXFN100N50P

IXFN100N50P IXYS

IXFN100N50P.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3233.65 грн
10+2343.69 грн
100+2181.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN100N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN100N50P за ціною від 2476.37 грн до 3830.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN100N50P IXFN100N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3291.77 грн
5+3083.18 грн
10+2875.44 грн
50+2476.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P Виробник : IXYS media-3320671.pdf MOSFET Modules 500V 100A
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3830.95 грн
10+3364.15 грн
20+2828.23 грн
50+2777.04 грн
100+2567.02 грн
200+2535.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P
Код товару: 145163
Додати до обраних Обраний товар

IXFN100N50P.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P IXFN100N50P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn100n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P Виробник : IXYS IXFN100N50P.pdf IXFN100N50P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.