IXFN100N50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3119.89 грн |
| 10+ | 2676.99 грн |
| 100+ | 2349.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN100N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN100N50P за ціною від 2273.5 грн до 3388.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 100A |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFN100N50P Код товару: 145163 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFN100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 75A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 75A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |