Технічний опис IXFN100N50P
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:100A
- On State Resistance:0.049ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
- Max Voltage Vds:500V
- N-channel Gate Charge:240nC
- No. of Pins:4
- Power Dissipation Pd:1040W
- Typ Capacitance Ciss:20000pF
- Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
- Transistor Case Style:ISOTOP
Інші пропозиції IXFN100N50P за ціною від 2376.44 грн до 4670.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 500V 100A |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFN100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFN100N50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 75A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |