Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFN102N30P
IXFN102N30P

IXFN102N30P Littelfuse Inc.

IXFN102N30P.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1433.68 грн
10+1230.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN102N30P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN102N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN102N30P IXFN102N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_HiPerFETs_IX-1856517.pdf Discrete Semiconductor Modules 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P IXFN102N30P IXYS IXFN102N30P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 86A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 86A
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 570W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P IXFN102N30P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 86A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_HiPerFETs_IX-1856517.pdf
IXFN102N30P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P IXFN102N30P.pdf
IXFN102N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 86A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 86A
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 570W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30P media.pdf
IXFN102N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 86A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.