Продукція > IXYS > IXFN106N20

IXFN106N20 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf____n20_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN106N20 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 521W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN106N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN106N20 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf____n20_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN106N20 IXFN106N20 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 106A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN106N20 IXFN106N20 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 106A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN106N20 IXFN106N20 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf____n20_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN106N20 IXFN106N20 Виробник : IXYS media-3323761.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 106A
товар відсутній