IXFN110N60P3

IXFN110N60P3 Littelfuse Inc.


DS100305BIXFN110N60P3.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2871.67 грн
10+2176.17 грн
100+1992.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN110N60P3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN110N60P3 за ціною від 2609.46 грн до 3070.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 Виробник : IXYS media-3320961.pdf MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3070.74 грн
10+2609.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn110n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.