
IXFN110N60P3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2871.67 грн |
10+ | 2176.17 грн |
100+ | 1992.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN110N60P3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN110N60P3 за ціною від 2609.46 грн до 3070.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN110N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFN110N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFN110N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFN110N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 90A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 56mΩ Gate charge: 254nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: HiPerFET™; Polar3™ Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFN110N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 90A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 56mΩ Gate charge: 254nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: HiPerFET™; Polar3™ Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 250ns |
товару немає в наявності |