| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3411.04 грн |
| 10+ | 2662.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN110N60P3 IXYS
Category: Transistor modules, Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 90A, Power dissipation: 1.5kW, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 56mΩ, Gate charge: 254nC, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 250ns, Pulsed drain current: 275A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw.
Інші пропозиції IXFN110N60P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN110N60P3 | IXYS |
 MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFN110N60P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)