IXFN110N85X IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5136.55 грн |
| 10+ | 4168.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN110N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN110N85X за ціною від 5125.94 грн до 6507.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN110N85X | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 850V Drain current: 110A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 33mΩ Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 1170W Technology: HiPerFET™; X-Class Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 425nC Reverse recovery time: 205ns Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN110N85X | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IXFN110N85X | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 850V Drain current: 110A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 33mΩ Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 1170W Technology: HiPerFET™; X-Class Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 425nC Reverse recovery time: 205ns Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN110N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN110N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |