IXFN110N85X

IXFN110N85X Littelfuse Inc.


IXFN110N85X%20data%20sheet.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5195.62 грн
10+4391.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN110N85X Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN110N85X за ціною від 5458.31 грн до 6549.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN110N85X IXFN110N85X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5458.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X Виробник : IXYS media-3322450.pdf MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5705.69 грн
10+5578.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6549.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixfn110n85x_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.