Продукція > IXYS > IXFN130N30

IXFN130N30 IXYS

98531.pdf
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN130N30 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 130, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 700, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 700, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN130N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN130N30 IXFN130N30 IXYS 98531.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30 IXFN130N30 IXYS SEMICONDUCTOR 42429.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30 IXFN130N30 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30 98531.pdf
IXFN130N30
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30 42429.pdf
IXFN130N30
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30 media.pdf
IXFN130N30
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.