Продукція > IXYS > IXFN132N50P3
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3 IXYS

IXFN132N50P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 250nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2661.50 грн
5+2392.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN132N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN132N50P3 за ціною від 2222.36 грн до 3507.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS DS100316BIXFN132N50P3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3507.92 грн
10+2545.48 грн
50+2222.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN132N50P3_Datasheet.PDF MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 DS100316BIXFN132N50P3.pdf
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3507.92 грн
10+2545.48 грн
50+2222.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN132N50P3_Datasheet.PDF
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 LFSI-S-A0007909453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.