IXFN132N50P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1997.38 грн |
| 2+ | 1753.87 грн |
| 3+ | 1753.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN132N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN132N50P3 за ціною від 2102.54 грн до 3032.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 1500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |