Продукція > IXYS > IXFN140N20P
IXFN140N20P

IXFN140N20P IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixfn140n20p-datasheet?assetguid=7945f9e3-6e8f-4a50-a3b4-349170f8bf7b
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2239.81 грн
10+1589.07 грн
100+1318.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN140N20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 680W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції IXFN140N20P за ціною від 1597.45 грн до 2759.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2759.29 грн
5+2574.05 грн
10+2338.07 грн
50+1849.48 грн
100+1597.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P description IXYS-S-A0008595739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN140N20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2759.29 грн
5+2574.05 грн
10+2338.07 грн
50+1849.48 грн
100+1597.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.