IXFN140N20P

IXFN140N20P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1626.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN140N20P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN140N20P за ціною від 1227.26 грн до 2210.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixfn140n20p-datasheet?assetguid=7945f9e3-6e8f-4a50-a3b4-349170f8bf7b Description: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2043.06 грн
10+1440.19 грн
100+1227.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : IXYS media-3321472.pdf MOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2135.60 грн
10+1901.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixfn140n20p-datasheet?assetguid=7945f9e3-6e8f-4a50-a3b4-349170f8bf7b Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2210.78 грн
5+1914.56 грн
10+1618.34 грн
50+1451.46 грн
100+1291.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : IXYS IXFN140N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P IXFN140N20P Виробник : IXYS IXFN140N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.