Продукція > IXYS > IXFN140N30P
IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN140N30P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN140N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN140N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.