на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2336.50 грн |
| 10+ | 2261.74 грн |
| 30+ | 1927.76 грн |
| 100+ | 1774.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN140N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1515.67 грн до 2608.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 185nC Case: SOT227B Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 185nC Case: SOT227B Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |