Продукція > IXYS > IXFN140N30P
IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS

media-3320862.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2465.85 грн
10+2386.96 грн
30+2034.48 грн
100+1872.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1599.58 грн до 3129.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse Inc. DS99571FIXFN140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2554.15 грн
10+1817.76 грн
100+1599.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : IXYS IXFN140N30P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2607.93 грн
5+2081.35 грн
10+2011.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2752.57 грн
5+2393.19 грн
10+2033.81 грн
50+1872.06 грн
100+1712.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : IXYS IXFN140N30P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3129.52 грн
5+2593.68 грн
10+2413.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.