IXFN140N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2301.8 грн |
| 5+ | 2173.64 грн |
| 10+ | 2044.72 грн |
| 50+ | 1779.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN140N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1754.97 грн до 2490.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 185nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN140N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 185nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Case: SOT227B |
товар відсутній |