Продукція > IXYS > IXFN140N30P
IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS

media-3320862.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2031.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1493.46 грн до 3097.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2384.25 грн
10+1697.20 грн
100+1493.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3097.29 грн
5+2710.23 грн
10+2245.60 грн
50+1869.86 грн
100+1593.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P Виробник : IXYS IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.