IXFN140N30P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2361.62 грн |
| 10+ | 1680.74 грн |
| 100+ | 1479.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN140N30P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-227B, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFN140N30P за ціною від 1862.22 грн до 2921.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN140N30P | IXYS |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Case: SOT227B Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 185nC On-state resistance: 24mΩ Technology: HiPerFET™; Polar™ Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 700W |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN140N30P | IXYS |
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXFN140N30P |
|
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2679.27 грн |
| 5+ | 2138.29 грн |
| IXFN140N30P |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2921.68 грн |
| 10+ | 2447.26 грн |
| 100+ | 1862.22 грн |